| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8977591 Nr producenta: IPP65R190C7FKSA1 EAN/GTIN: 5059043852065 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon CoolMOS™ C6/C7 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 13 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | CoolMOS™ C7 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 190 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalna strata mocy: | 72 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 10.36mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8977591, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPP65R190C7FKSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |