MOSFET N-kanałowy 39 A TO-3PN 600 V Pojedynczy 270 W 65 mΩ

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8962369

Nr producenta:
TK39J60W,S1VQ(O

EAN/GTIN:
5059041695688

Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V
Typ opakowania = TO-3PN
Seria = TK
Typ montażu = Otwór przezierny
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 65 mΩ
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.7V
Maksymalna strata mocy = 270 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = -30 V, +30 V
Długość = 15.5mm
Maksymalna temperatura robocza = +150°C

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	39 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	600 V
Typ opakowania:	TO-3PN
Seria:	TK
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	65 mΩ
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3.7V
Maksymalna strata mocy:	270 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-30 V, +30 V
Długość:	15.5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C

Dalsze słowa kluczowe: MOSFET, Tranzystor MOSFET, Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor toshiba, tranzystor polowy, 8962369, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, TK39J60W,S1VQ(O

Liczba zamawianego produktu

Stan magazynu: Magazyn 3MTJS

Wysyłka: Magazyn 3MTJS

Wyświetl szczegółowe informacje o stanie magazynu.

Wartość zamówienia

Dostawa bezpłatna

Zasady zwrotu artykułu: Magazyn 3MTJS

Okres czasu:	w przeciągu 21 dni
Stan opakowania:	opakowanie oryginalne nieotwarte, brak uszkodzeń
Stan towaru:	nieużywany
Koszty przesyłki zwrotnej:	ponosi klient
Opłata manipulacyjna:	Koszty zostaną ustalone przez partnera handlowego po sprawdzeniu każdego poszczególnego przypadku.
Okres gwarancyjny wg Ogólnych Warunków Handlowych pozostaje niezależny od podanych praw do zwrotu.