| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8922318 Nr producenta: IPP180N10N3 G EAN/GTIN: 5059043618012 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 100 V i więcej Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 43 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | OptiMOS™ 3 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 33 miliomy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 71 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.36mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8922318, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPP180N10N3G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |