| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8922172 Nr producenta: BSL308PEH6327XTSA1 EAN/GTIN: 5059043741291 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon tranzystory zasilające MOSFET z kanałem zasilania OptiMOS™P. Infineon OptiMOS ™ P-Channel tranzystory zasilające MOSF Funkcje te obejmują bardzo niską utratę przełączania, odporność na zmiany stanu, oceny w firmie Lawianche oraz zastosowanie automatycznej kontroli prześwietlenia (AEC) dla rozwiązań samochodowych. Zastosowania obejmują DC-dc, sterowanie silnikami, motoryzację i eMobility.. Tryb rozszerzenia Tryb lawinowy Niskie straty mocy przełączania i przewodnictwa Bezołowiowe platerowanie; zgodne z dyrektywą RoHS Opakowania standardowe Seria P-Channel OptiMOS™: Zakres temperatur od -55°C do +175°C. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 2 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | TSOP-6 | Seria: | OptiMOS P | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 130 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 500 mW | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 2.9mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8922172, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSL308PEH6327XTSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |