| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8855362 Nr producenta: 2N7002VC-7 EAN/GTIN: 5059043847948 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Podwójny N-Channel MOSFET, Diodes Inc. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 280 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-563 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 13,5 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 150 mW | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -40 V, +40 V | Długość: | 1.7mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 8855362, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, 2N7002VC7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |