|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-8765632 Nr producenta:
STD16N60M2 EAN/GTIN:
5059042199895 |
| |
|
| | |
| N-kanałowy zestaw do mikroelektroniki MDmesh™ serii M2 STMicroelectronics. Seria wysokonapięciowych tranzystorów zasilających MOSFET firmy STMicroelectronics. Dzięki niskiemu obciążeniu bramki i doskonałej charakterystyce pojemności wyjściowej, seria MDmesh M2 jest idealna do stosowania w rezonansowych sieciach przełączających (konwertery LLC). Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 12 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | MDmesh M2 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 320 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 110 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -25 V, +25 V | Długość: | 6.6mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 8765632, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STD16N60M2 |
| | |
| |