| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8752481 Nr producenta: MMIX1F180N25T EAN/GTIN: 5059041752763 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor mocy N-kanałowy MOSFET, IXYS HiperFET™ serii GigaMOS™ Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 132 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250 V | Typ opakowania: | SMPD | Seria: | GigaMOS, HiperFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 24 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 13 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Maksymalna strata mocy: | 570 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 25.25mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8752481, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, MMIX1F180N25T |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |