MOSFET N-kanałowy 132 A SMPD 250 V SMD Pojedynczy 570 W 13 miliomów

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8752481

Producent:
IXYS

Nr producenta:
MMIX1F180N25T

EAN/GTIN:
5059041752763

Słowa kluczowe:

Tranzystor mocy N-kanałowy MOSFET, IXYS HiperFET™ serii GigaMOS™

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	132 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	250 V
Typ opakowania:	SMPD
Seria:	GigaMOS, HiperFET
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	24
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	13 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	5V
Maksymalna strata mocy:	570 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-30 V, +30 V
Długość:	25.25mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C

Dalsze słowa kluczowe: 8752481, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, IXYS, MMIX1F180N25T

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 135,803*

Cena obowiązuje od 3 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 216,574*	PLN 266,386	za szt.
od 2 szt.	PLN 210,554*	PLN 258,981	za szt.
od 5 szt.	PLN 168,035*	PLN 206,683	za szt.
od 10 szt.	PLN 162,79*	PLN 200,232	za szt.
od 20 szt.	PLN 152,14*	PLN 187,132	za szt.
od 40 szt.	PLN 148,433*	PLN 182,573	za szt.
od 3000 szt.	PLN 135,803*	PLN 167,038	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.