| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8648461 Nr producenta: FDMS86252L EAN/GTIN: 5059042264159 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A do 19.9A, Fairchild Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 12 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150 V | Typ opakowania: | PQFN8 | Seria: | PowerTrench | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 110 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 50 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8648461, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDMS86252L |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |