| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-859997 Nr producenta: BUL216 EAN/GTIN: 5059042026481 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystory wysokiego napięcia STMicroelectronics Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 4 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 800 V | Typ opakowania: | TO-220 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Maksymalna strata mocy: | 9 W | Minimalne wzmocnienie prądu DC: | 12 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 1600 V | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 9 V | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 9.15 x 10.4 x 4.6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C | Długość: | 10.4mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 859997, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, STMicroelectronics, BUL216 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |