| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8290627 Nr producenta: PD55015-E EAN/GTIN: 5059042023961 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystory MOSFET RF STMicroelectronics. Tranzystory częstotliwości radiowej są typu LDMOS odpowiednie dla łączności satelitarnej w paśmie L oraz tranzystorów mocy DMOS w zastosowaniach od 1 MHz do 2 GHz. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PowerSO | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 10 | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 73 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 9.6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +165°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 8290627, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, PD55015E |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |