| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8276126 Nr producenta: TK12P60W,RVQ(S EAN/GTIN: 5059041174022 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET N-Channel, TK1x Series, Toshiba Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 11,5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | TK | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 340 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.7V | Maksymalna strata mocy: | 100 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 6.6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8276126, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, TK12P60W,RVQ(S |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |