|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-8275120 Nr producenta:
IPD30N08S2L21ATMA1 EAN/GTIN:
5059043230085 |
| |
|
| | |
| Infineon OptiMOS™ - rodzina Power MOSFET. Produkty OptiMOS™ są dostępne w pakietach o wysokiej wydajności, które pozwalają sprostać najbardziej wymagającym zastosowaniom, zapewniając pełną elastyczność w ograniczonej przestrzeni. Produkty firmy Infineon zostały zaprojektowane tak, aby spełniały wymagania dotyczące wydajności energetycznej i gęstości mocy zaostrzonych norm regulacji napięcia nowej generacji w zastosowaniach obliczeniowych.. Tryb rozszerzenia kanału N Motoryzacja AEC Q101 zakwalifikowana MSL1 do 260°C Peak reflow Temperatura pracy: 175°C Opakowanie zielone (bez ołowiu) Ultraniskie napięcie (włączone) Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 30 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | OptiMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 26 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.1V | Maksymalna strata mocy: | 136 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.73mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 8275120, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPD30N08S2L21ATMA1 |
| | |
| |