| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8274903 Nr producenta: CSD19506KCS EAN/GTIN: 5059042164473 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 273 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | NexFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 2,8 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.1V | Maksymalna strata mocy: | 375 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.67mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8274903, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Texas Instruments, CSD19506KCS |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |