MOSFET N-kanałowy 273 A TO-220 80 V Pojedynczy 375 W 2,8 milioma

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8274903

Producent:
Texas Instruments

Nr producenta:
CSD19506KCS

EAN/GTIN:
5059042164473

Słowa kluczowe:

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	273 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	80 V
Typ opakowania:	TO-220
Seria:	NexFET
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	2,8 milioma
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3.2V
Minimalne napięcie progowe VGS:	2.1V
Maksymalna strata mocy:	375 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	10.67mm

Dalsze słowa kluczowe: 8274903, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Texas Instruments, CSD19506KCS

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 11,284*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 19,558*	PLN 24,056	za szt.
od 5 szt.	PLN 18,204*	PLN 22,391	za szt.
od 10 szt.	PLN 16,177*	PLN 19,898	za szt.
od 20 szt.	PLN 15,547*	PLN 19,123	za szt.
od 25 szt.	PLN 14,028*	PLN 17,254	za szt.
od 50 szt.	PLN 13,014*	PLN 16,007	za szt.
od 7500 szt.	PLN 11,284*	PLN 13,879	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.