| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8274684 Nr producenta: CSD16321Q5 EAN/GTIN: 5059042143058 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 100 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25 V | Typ opakowania: | VSON-CLIP | Seria: | NexFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 3,8 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.9V | Maksymalna strata mocy: | 3,1 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -8 V, +10 V | Długość: | 6.1mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8274684, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Texas Instruments, CSD16321Q5 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |