|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-8274079 Nr producenta:
IRFR5410TRPBF EAN/GTIN:
5059045947530 |
| |
|
| | |
| P-Channel Power MOSFET o Infineon 100V do 150V. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 13 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 205 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 66 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.73mm |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |