|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-8273899 Nr producenta:
IRF7842TRPBF EAN/GTIN:
5059045664321 |
| |
|
| | |
| MOSFET o mocy 40 V, Infineon. Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 18 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | SOIC | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 5.9 mΩ | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.25V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.35V | Maksymalna strata mocy: | 2,5 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 5mm |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |