| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8270002 Nr producenta: 2N7002DWH6327XTSA1 EAN/GTIN: 5059043509426 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon OptiMOS™ - tranzystor MOSFET o podwójnej mocy Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 300 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-363 | Seria: | OptiMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 4 omy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Maksymalna strata mocy: | 500 mW | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 2mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8270002, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, 2N7002DWH6327XTSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |