MOSFET N-kanałowy 300 mA SOT-363 60 V SMD Izolacja 500 mW 4 omy

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8270002

Producent:
Infineon

Nr producenta:
2N7002DWH6327XTSA1

EAN/GTIN:
5059043509426

Słowa kluczowe:

Infineon OptiMOS™ - tranzystor MOSFET o podwójnej mocy

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	300 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	SOT-363
Seria:	OptiMOS™
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	6
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	4 omy
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	2.5V
Minimalne napięcie progowe VGS:	1.5V
Maksymalna strata mocy:	500 mW
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	2mm

Dalsze słowa kluczowe: 8270002, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, 2N7002DWH6327XTSA1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 186,68*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 500 szt. (od PLN 0,37336* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 260,96*	PLN 320,9808	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 243,24*	PLN 299,1852	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 214,51*	PLN 263,8473	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 209,59*	PLN 257,7957	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 202,77*	PLN 249,4071	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 186,68*	PLN 229,6164	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.