|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-8269074 Nr producenta:
SPD09P06PLGBTMA1 EAN/GTIN:
5059043000220 |
| |
|
| | |
| Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET. Infineon SIPMOS ;sup> ® ;/sup> - małe, cyfrowe tranzystory MOSFET z sygnałem P - mają kilka funkcji, które mogą obejmować tryb poprawy, prąd ciągłego spustu o wartości około -80A oraz szeroki zakres temperatur pracy. Tranzystor mocy SIPMOS może być używany w różnych zastosowaniach, w tym w telekomunikacji, eMobility, notebookach, urządzeniach DC/DC, a także w przemyśle motoryzacyjnym.. · Zakwalifikowana opcja AEC Q101 (więcej informacji znajduje się w arkuszu danych) · bezołowiowe platerowanie, zgodne z dyrektywą RoHS Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 9,7 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | SIPMOS® | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 400 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 42 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.73mm |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |