MOSFET N-kanałowy 4,4 A SOIC 60 V SMD Izolacja 2,14 W 97 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8234012

Producent:
Diodes

Nr producenta:
DMN6066SSD-13

EAN/GTIN:
5059043743448

Słowa kluczowe:

Podwójny N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	4,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	97 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3V
Maksymalna strata mocy:	2,14 W
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: 8234012, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN6066SSD13

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 26,21*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 2,621* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 33,01*	PLN 40,6023	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 32,45*	PLN 39,9135	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 31,57*	PLN 38,8311	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 30,31*	PLN 37,2813	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 26,21*	PLN 32,2383	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.