| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8232927 Nr producenta: DMN2004DMK-7 EAN/GTIN: 5059043802039 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Podwójny N-Channel MOSFET, Diodes Inc. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 540 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-26 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 900 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 225 mW | Konfiguracja tranzystora: | Izolacja | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -8 V, +8 V | Długość: | 3.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8232927, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN2004DMK7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |