MOSFET N-kanałowy 540 mA SOT-26 20 V SMD Izolacja 225 mW 900 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8232927

Producent:
Diodes

Nr producenta:
DMN2004DMK-7

EAN/GTIN:
5059043802039

Słowa kluczowe:

Podwójny N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	540 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20 V
Typ opakowania:	SOT-26
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	6
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	900 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	1V
Maksymalna strata mocy:	225 mW
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-8 V, +8 V
Długość:	3.1mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: 8232927, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN2004DMK7

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 15,815*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 25 szt. (od PLN 0,6326* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 43,475*	PLN 53,47425	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 42,195*	PLN 51,89985	za opakowanie
od 6 opakowania	PLN 24,03*	PLN 29,5569	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 22,94*	PLN 28,2162	za opakowanie
od 30 opakowania	PLN 20,545*	PLN 25,27035	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 19,885*	PLN 24,45855	za opakowanie
od 60 opakowania	PLN 17,935*	PLN 22,06005	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 15,815*	PLN 19,45245	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.