| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8231833 Nr producenta: ZVNL110ASTZ EAN/GTIN: 5059043780344 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel MOSFET, od 100V do 950V, Diody Inc Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 320 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | TO-92 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 3 omy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Maksymalna strata mocy: | 700 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 4.77mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8231833, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, ZVNL110ASTZ |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |