| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8222176 Nr producenta: BSS127SSN-7 EAN/GTIN: 5059043375915 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel MOSFET, od 100V do 950V, Diody Inc Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 70 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | SOT-346 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 190 omów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Maksymalna strata mocy: | 1,25 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 3.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8222176, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, BSS127SSN7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |