| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8152663 Nr producenta: SIHF9630STRL-GE3 EAN/GTIN: 5059040800656 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | P-Channel MOSFET, od 100V do 400V, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 800 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 74 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.67mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8152663, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHF9630STRLGE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |