MOSFET N-kanałowy 12 A SOT-363 30 V SMD Pojedynczy 19 W 22 miliomy

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8141222

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SIA462DJ-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040805811

Słowa kluczowe:

MOSFET N-Channel, od 30 V do 50 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	12 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30 V
Typ opakowania:	SOT-363
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	6
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	22 miliomy
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1.2V
Maksymalna strata mocy:	19 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	2.15mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 8141222, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIA462DJT1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 17,66*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 50 szt. (od PLN 0,3532* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 22,42*	PLN 27,5766	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 22,03*	PLN 27,0969	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 21,71*	PLN 26,7033	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 20,94*	PLN 25,7562	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 20,09*	PLN 24,7107	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 17,66*	PLN 21,7218	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.