| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8123110 Nr producenta: SI2323DDS-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040792050 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | P-Channel MOSFET, 8 V do 20 V, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4,3 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 75 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 0.4V | Maksymalna strata mocy: | 1,7 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -8 V, +8 V | Długość: | 3.04mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8123110, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI2323DDST1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |