MOSFET P-kanałowy 4,3 A SOT-23 20 V SMD Pojedynczy 1,7 W 75 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-8123110

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SI2323DDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040792050

Słowa kluczowe:

P-Channel MOSFET, 8 V do 20 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	P
Maksymalny ciągły prąd drenu:	4,3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20 V
Typ opakowania:	SOT-23
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	75 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	0.4V
Maksymalna strata mocy:	1,7 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-8 V, +8 V
Długość:	3.04mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150°C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: 8123110, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI2323DDST1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 11,86*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 20 szt. (od PLN 0,593* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 15,00*	PLN 18,45	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 14,90*	PLN 18,327	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 14,62*	PLN 17,9826	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 14,43*	PLN 17,7489	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 13,66*	PLN 16,8018	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 11,86*	PLN 14,5878	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.