| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8063560 Nr producenta: FDP5N50NZ EAN/GTIN: 5059042627008 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. UniFET™ MOSFET to Fairchild Semiconductor Charakteryzuje się najmniejszą rezystancją w stanie rzeczywistym wśród płaskich tranzystorów MOSFET, a także zapewnia doskonałe parametry przełączania i większą lawinową moc. Ponadto wewnętrzna dioda elektrostatyczna Otworu Wtryskowego umożliwia przeciąganie MOSFET UniFET-II™ o napięciu ponad 2000V HBM. Tranzystory UniFET™ MOSFET są odpowiednie do przełączania aplikacji przetworników mocy, takich jak korekcja współczynnika mocy (PFC), zasilanie telewizora z płaskim ekranem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) i stateczniki lamp elektronicznych. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4,5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | UniFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,5 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 78 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -25 V, +25 V | Długość: | 10.67mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 8063560, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDP5N50NZ |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |