| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-8058868 Nr producenta: SBAT54ALT1G EAN/GTIN: 5059042657111 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Produkty z numerami części producenta NSV-, SBR- lub S-predefined Manufacturer są kwalifikowane do zastosowania w motoryzacji AEC-Q101. O diodach Semiconductor Schottky Barrier. Ten ON Semiconductor Schottky'y'ego z zastosowaniem zasady bariery Schottky'ego używa metalu barierowego do stworzenia najlepszej wymiany prądu w pętli zwrotnej. Nadaje się do nisko napięciowych, wysokoczęstotliwościowych korekcji, jak również diod wolnej jazdy i polaryzacji w wielu zastosowaniach montażu powierzchniowego, gdzie kluczowe znaczenie ma bardziej zwarta wielkość i waga. Bezpłatna Zaprojektowany pod kątem optymalnego zautomatyzowanego zespołu płyty głównej Ochrona przed stresem Przykształtowany futerał epoksydowy Lekka paczka 11,7 mg Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | SOT-23 | Maksymalny ciągły prąd przewodzenia: | 200mA | Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne: | 30V | Konfiguracja diody: | Wspólna anoda | Typ prostownika: | Prostownik Schottky'ego | Typ diody: | Dioda Schottky'ego | Liczba styków: | 3 | Maksymalny spadek napięcia przewodzenia: | 400mV | Liczba elementów na układ: | 2 | Technologia diodowa: | Bariera Schottky'ego | Szczytowy czas odzyskania blokowania: | 5ns |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Dioda SMD, Diody SMD, Dioda Schottky'ego, Diody Schottky'ego, Dioda Schottky, Diody Schottky, dioda smd, 8058868, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Diody Schottky'ego i prostownicze, onsemi, SBAT54ALT1G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |