IGBT Ic 50 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7965064

Producent:
Toshiba

Nr producenta:
GT50JR22

EAN/GTIN:
5059041140096

Słowa kluczowe:

Moduł IGBT dyskretes Toshiba

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	50 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	600 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±25V
Maksymalna strata mocy:	230 W
Typ opakowania:	TO-3P
Typ montażu:	Otwór przezierny
Typ kanału:	N
Liczba styków:	3
Szybkość przełączania:	1MHz
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Wymiary:	15.5 x 4.5 x 20mm
Maksymalna temperatura robocza:	+175°C

Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, igbt toshiba, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 7965064, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Toshiba, GT50JR22

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 12,598*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 26,671*	PLN 32,805	za szt.
od 5 szt.	PLN 26,151*	PLN 32,166	za szt.
od 10 szt.	PLN 16,417*	PLN 20,193	za szt.
od 20 szt.	PLN 15,727*	PLN 19,344	za szt.
od 50 szt.	PLN 14,833*	PLN 18,245	za szt.
od 125 szt.	PLN 14,687*	PLN 18,065	za szt.
od 250 szt.	PLN 14,368*	PLN 17,673	za szt.
od 7500 szt.	PLN 12,598*	PLN 15,496	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.