|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7930771 Nr producenta:
MMBT918LT1G EAN/GTIN:
5059042169072 |
| |
|
| | |
| Numery części producenta z przedrostkiem NSV są zakwalifikowanymi przez firmę motoryzacyjną do standardu AEC-Q101. Tranzystory bipolarne RF, ON Semiconductor Dalsze informacje: | | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 50 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 15 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 225 mW | Minimalne wzmocnienie prądu DC: | 20 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 30 V DC | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 3 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 100 MHz | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor smd, 7930771, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, onsemi, MMBT918LT1G |
| | |
| |