| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7925713 Nr producenta: STD25N10F7 EAN/GTIN: 5059042230314 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Seria STripFET™ H7, STMicroelectronics, N-Channel. Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezystancję. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 25 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | STripFET H7 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 35 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 40 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.6mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7925713, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STD25N10F7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |