| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7925694 Nr producenta: STB13N60M2 EAN/GTIN: 5059042397444 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-kanałowy zestaw do mikroelektroniki MDmesh™ serii M2 STMicroelectronics. Seria wysokonapięciowych tranzystorów zasilających MOSFET firmy STMicroelectronics. Dzięki niskiemu obciążeniu bramki i doskonałej charakterystyce pojemności wyjściowej, seria MDmesh M2 jest idealna do stosowania w rezonansowych sieciach przełączających (konwertery LLC). Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 11 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | MDmesh M2 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 380 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 110 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -25 V, +25 V | Długość: | 10.4mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7925694, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STB13N60M2 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |