| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7920885 Nr producenta: BSS123 EAN/GTIN: 5059043510941 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET, poziom 100V i wyższy, Nexperia Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 150 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 6 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.8V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 250 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 3mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7920885, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Nexperia, BSS123 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |