| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7916025 Nr producenta: 2N7002LT3G EAN/GTIN: 5059042519976 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor zasilający MOSFET, 60V, ON Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 115 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 7,5 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 300 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 3.04mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7916025, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, 2N7002LT3G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |