| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7905371 Nr producenta: MJE5731G EAN/GTIN: 5059042509670 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Nr części producenta z przedrostkiem S są motoryzacyjne zakwalifikowane do standardu AEC-Q101. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ tranzystora: | PNP | Maksymalny prąd DC kolektora: | -1 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | -350 V | Typ opakowania: | TO-220 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Maksymalna strata mocy: | 40 W | Minimalne wzmocnienie prądu DC: | 30 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 350 V DC | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 5 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 2 MHz | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 10.28 x 4.82 x 15.75mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7905371, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, onsemi, MJE5731G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |