|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7879480 Nr producenta:
SQD25N06-22L_GE3 EAN/GTIN:
5059040842137 |
| |
|
| | |
| AEC-Q101. MOSFET, seria samochodów SQ o wzmocnionej konstrukcji, Vishay Semiconductor. Seria SQ tranzystorów MOSFET firmy Vishay Semiconductor została zaprojektowana do wszystkich zastosowań motoryzacyjnych wymagających odporności i wysokiej niezawodności. Zalety tranzystorów MOSFET serii SQ o wzmocnionej konstrukcji. Zaliczona AEC-Q101 Temperatura przyłącza do +175°C. Technologie n- i p-kanałowe TrenchFET® o niskiej odporności Innowacyjne, oszczędzające miejsce opcje pakietów Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 25 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | SQ Rugged | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 49 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Maksymalna strata mocy: | 62 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 6.73mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 7879480, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQD25N0622L_GE3 |
| | |
| |