| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7879399 Nr producenta: SIS892ADN-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040840539 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel MOSFET, od 100V do 150V, Vishay Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 28 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | PowerPAK 1212-8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 47 miliomy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Maksymalna strata mocy: | 52 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 3.4mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7879399, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIS892ADNT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |