| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7879159 Nr producenta: SIHF5N50D-E3 EAN/GTIN: 5059040842861 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET, seria D, wysokonapięciowy, Vishay Semiconductor, N-Channel Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 5,3 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500 V | Typ opakowania: | TO-220FP | Seria: | D Series | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,5 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 30 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 10.63mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7879159, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHF5N50DE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |