| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7863625 Nr producenta: STF100N10F7 EAN/GTIN: 5059042020595 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Seria STripFET™ H7, STMicroelectronics, N-Channel. Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezystancję. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 45 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | TO-220FP | Seria: | STripFET H7 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 8 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 30 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.4mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7863625, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STF100N10F7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |