MOSFET N-kanałowy 4 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 80 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7800674

Producent:
onsemi

Nr producenta:
NTMD4N03R2G

EAN/GTIN:
5059042093896

Słowa kluczowe:

Podwójny MOSFET N-Channel, ON Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	30 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	80 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	3V
Maksymalna strata mocy:	2 W
Konfiguracja tranzystora:	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C
Liczba elementów na układ:	2

Dalsze słowa kluczowe: 7800674, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMD4N03R2G

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 22,11*

Cena obowiązuje od 3 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 2,211* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 27,86*	PLN 34,2678	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 27,79*	PLN 34,1817	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 27,31*	PLN 33,5913	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 27,02*	PLN 33,2346	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 25,55*	PLN 31,4265	za opakowanie
od 3000 opakowania	PLN 22,11*	PLN 27,1953	za opakowanie