| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7769172 Nr producenta: IRFB7430PBF EAN/GTIN: 5059043298863 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor Power MOSFET StragIFF™, Infineon. Rodzina Infineon StrongIFF jest zoptymalizowana do obsługi niskich ;sub> sygnałów DS ;/sub> (wł.) i wysokich prądów. Oferta ta oferuje ulepszone zabezpieczenia bramowe, lawinowe i dynamiczną odporność dv/dt, idealne do zastosowań przemysłowych o niskich częstotliwościach, takich jak napędy silnikowe, narzędzia elektryczne, inwertory i zarządzanie akumulatorami, gdzie wydajność i niezawodność są niezbędne. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 195 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | TO-220AB | Seria: | StrongIRFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,3 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.9V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Maksymalna strata mocy: | 375 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.67mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 7769172, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRFB7430PBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |