MOSFET N-kanałowy 10 A TO-220 600 V Pojedynczy 90 W 450 miliomów

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7609982

Producent:
ST Microelectronics

Nr producenta:
STP11NM60ND

EAN/GTIN:
5059042934564

Słowa kluczowe:

Tranzystor zasilający MOSFET, STMicroelectronics, N-Channel FDsiatex™

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	600 V
Typ opakowania:	TO-220
Seria:	FDmesh
Typ montażu:	Otwór przezierny
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	450 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	5V
Minimalne napięcie progowe VGS:	3V
Maksymalna strata mocy:	90 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-25 V, +25 V
Długość:	10.4mm

Dalsze słowa kluczowe: 7609982, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STP11NM60ND

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 3,983*

Cena obowiązuje od 30 000 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 10,005*	PLN 12,306	za szt.
od 10 szt.	PLN 8,275*	PLN 10,178	za szt.
od 50 szt.	PLN 7,655*	PLN 9,416	za szt.
od 100 szt.	PLN 6,09*	PLN 7,491	za szt.
od 200 szt.	PLN 5,81*	PLN 7,146	za szt.
od 500 szt.	PLN 5,155*	PLN 6,341	za szt.
od 1000 szt.	PLN 4,373*	PLN 5,379	za szt.
od 30000 szt.	PLN 3,983*	PLN 4,899	za szt.