| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7599715 Nr producenta: FDT86113LZ EAN/GTIN: 5059042873450 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | PowerTrench® N-Channel MOSFET, do 9.9A, Fairchild Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3.3 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | SOT-223 | Seria: | PowerTrench | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 189 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 2.2 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 3.7mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7599715, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDT86113LZ |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |