| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7599664 Nr producenta: FDP025N06 EAN/GTIN: 5059042729481 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | PowerTrench® N-Channel MOSFET, ponad 60A, Fairchild Semiconductor Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 265 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | PowerTrench | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 2,5 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 395 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 9.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7599664, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDP025N06 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |