|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7598970 Nr producenta:
FDB28N30TM EAN/GTIN:
5059042922097 |
| |
|
| | |
| UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. UniFET™ MOSFET to Fairchild Semiconductor Charakteryzuje się najmniejszą rezystancją w stanie rzeczywistym wśród płaskich tranzystorów MOSFET, a także zapewnia doskonałe parametry przełączania i większą lawinową moc. Ponadto wewnętrzna dioda elektrostatyczna Otworu Wtryskowego umożliwia przeciąganie MOSFET UniFET-II™ o napięciu ponad 2000V HBM. Tranzystory UniFET™ MOSFET są odpowiednie do przełączania aplikacji przetworników mocy, takich jak korekcja współczynnika mocy (PFC), zasilanie telewizora z płaskim ekranem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) i stateczniki lamp elektronicznych. Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 28 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 300 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | UniFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 129 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Minimalne napięcie progowe VGS: | 3V | Maksymalna strata mocy: | 250 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -30 V, +30 V | Długość: | 10.67mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 7598970, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, FDB28N30TM |
| | |
| |