|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7545412 Nr producenta:
IPB017N06N3 G EAN/GTIN:
5059043256696 |
| |
|
| | |
| Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 60-80. Produkty OptiMOS™ są dostępne w pakietach o wysokiej wydajności, które pozwalają sprostać najbardziej wymagającym zastosowaniom, zapewniając pełną elastyczność w ograniczonej przestrzeni. Produkty firmy Infineon zostały zaprojektowane tak, aby spełniały wymagania dotyczące wydajności energetycznej i gęstości mocy zaostrzonych norm regulacji napięcia nowej generacji w zastosowaniach obliczeniowych. Szybki tranzystor MOSFET do SMPS Zoptymalizowana technologia dla przetworników DC/DC Zakwalifikowane zgodnie z JEDEC1) do zastosowań docelowych N-channel, poziom logiczny Doskonały iloczyn ładunku bramki i wartości R DS(wł.) (FOM) Bardzo niska rezystancja w stanie przewodzenia R DS(wł.) Bezołowiowa powłoka Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 180 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | D2PAK-7 | Seria: | OptiMOS™ 3 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 7 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,7 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2V | Maksymalna strata mocy: | 250 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.31mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 7545412, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB017N06N3G |
| | |
| |