| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7533190 Nr producenta: SPP11N80C3 EAN/GTIN: 5059043798004 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon CoolMOS™ C3 Moc Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 11 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800 V | Typ opakowania: | TO-220 | Seria: | CoolMOS™ C3 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 450 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.9V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.1V | Maksymalna strata mocy: | 156 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 10.36mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7533190, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, SPP11N80C3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |