| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7532838 Nr producenta: BSS126 EAN/GTIN: 5059043517391 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 21 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Seria: | SIPMOS® | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 700 omów | Tryb kanałowy: | Wyczerpanie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.6V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.7V | Maksymalna strata mocy: | 500 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 2.9mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7532838, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSS126 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |