MOSFET N-kanałowy 21 mA SOT-23 600 V SMD Pojedynczy 500 mW 700 omów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7532838

Producent:
Infineon

Nr producenta:
BSS126

EAN/GTIN:
5059043517391

Słowa kluczowe:

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	21 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło:	600 V
Typ opakowania:	SOT-23
Seria:	SIPMOS®
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	700 omów
Tryb kanałowy:	Wyczerpanie
Maksymalne napięcie progowe VGS:	1.6V
Minimalne napięcie progowe VGS:	2.7V
Maksymalna strata mocy:	500 mW
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	2.9mm

Dalsze słowa kluczowe: 7532838, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSS126

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 10,21*

Cena obowiązuje od 7 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 25 szt. (od PLN 0,4084* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 13,02*	PLN 16,0146	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 12,91*	PLN 15,8793	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 12,69*	PLN 15,6087	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 12,56*	PLN 15,4488	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 11,86*	PLN 14,5878	za opakowanie
od 7500 opakowania	PLN 10,21*	PLN 12,5583	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.