|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-7528255 Nr producenta:
BSZ100N06LS3GATMA1 EAN/GTIN:
5059043627090 |
| |
|
| | |
| Infineon tranzystory zasilające MOSFET OptiMOS™3, 60-80. Produkty OptiMOS™ są dostępne w pakietach o wysokiej wydajności, które pozwalają sprostać najbardziej wymagającym zastosowaniom, zapewniając pełną elastyczność w ograniczonej przestrzeni. Produkty firmy Infineon zostały zaprojektowane tak, aby spełniały wymagania dotyczące wydajności energetycznej i gęstości mocy zaostrzonych norm regulacji napięcia nowej generacji w zastosowaniach obliczeniowych. Szybki tranzystor MOSFET do SMPS Zoptymalizowana technologia dla przetworników DC/DC Zakwalifikowane zgodnie z JEDEC1) do zastosowań docelowych N-channel, poziom logiczny Doskonały iloczyn ładunku bramki i wartości R DS(wł.) (FOM) Bardzo niska rezystancja w stanie przewodzenia R DS(wł.) Bezołowiowa powłoka Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 20 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | TDSON | Seria: | OptiMOS™ 3 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 17,9 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.7V | Maksymalna strata mocy: | 2.1 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 3.4mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 7528255, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSZ100N06LS3GATMA1 |
| | |
| |