| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-7514105 Nr producenta: DMG4466SSS-13 EAN/GTIN: 5059045545347 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel MOSFET, 30V, Diody Inc Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 10 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOIC | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 33 miliomy | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.4V | Maksymalna strata mocy: | 1.42 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -25 V, +25 V | Długość: | 4.95mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 7514105, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMG4466SSS13 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |