MOSFET N-kanałowy 10 A SOIC 40 V SMD Pojedynczy 1.56 W 9 miliomów

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-7104736

Producent:
Vishay

Nr producenta:
SI4840BDY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040976139

Słowa kluczowe:

MOSFET N-Channel, od 30 V do 50 V, Vishay Semiconductor

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	40 V
Typ opakowania:	SOIC
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy
Liczba styków:	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło:	9 miliomów
Tryb kanałowy:	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS:	1V
Maksymalna strata mocy:	1.56 W
Konfiguracja tranzystora:	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	-20 V, +20 V
Długość:	5mm
Maksymalna temperatura robocza:	+150 °C
Liczba elementów na układ:	1

Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 7104736, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SI4840BDYT1GE3

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 8,26*

Cena obowiązuje od 15 000 opakowania

1 opakowanie zawiera 5 szt. (od PLN 1,652* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 10,60*	PLN 13,038	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 10,32*	PLN 12,6936	za opakowanie
od 20 opakowania	PLN 10,18*	PLN 12,5214	za opakowanie
od 50 opakowania	PLN 9,62*	PLN 11,8326	za opakowanie
od 100 opakowania	PLN 9,46*	PLN 11,6358	za opakowanie
od 15000 opakowania	PLN 8,26*	PLN 10,1598	za opakowanie